مقایسه ترانزیستور IGBT با BJT و MOSFET

در این مطلب آموزش قصد داریم مقایسه ترانزیستور IGBT با BJT و MOSFET از نظر مزایا و معایب و ویژگی ها را خدمتتون ارائه بدهیم با ما همراه باشید.

مزایا IGBT نسبت به BJT و MOSFET

  • چگالی زیاد ھدایت جریان مستقیم و افت کم ولتاژ مستقیم در حالت روشن: IGBT ها دارای افت ولتاژ حالت روشن بسیار کم و چگالی زیاد جریان در حالت روشن در مقایسه با ماسفت ھای قدرت و ترانزیستور ھای دو قطبی ھستند.
  • توان راه اندازی کم و مدار راه انداز ساده به سبب وجود ساختار ماسفتی در ورودی: یک IGBT در مقایسه با قطعات کنترل شونده بوسیله جریان (تریستور و BJT ) در ولتاژ و جریان بالا بسیار آسانتر کنترل می شود.
  • ناحیه عملکرد ایمن وسیع: با توجه به مشخصه ھای خروجی،IGBT دارای قابلیت ھدایت جریان بھتر و قابلیت انسداد معکوس و مستقیم ممتازتری نسبت به ترانزیستور ھای دو قطبی است.

معایب IGBT نسبت به BJT و MOSFET

  • در مقایسه با ماسفت ھای قدرت IGBT دارای سرعت سوئیچینگ کمتری است ولی سرعت آن از BJT ھا بسیار بالاتر است. جریان پس ماند کلکتور(حامل ھای اقلیت) باعث کاھش سرعت خاموش شدن آن می شود.
  • امکان قفل شدگی به علت وجود ساختار تریستوری PNPN

جدول مقایسه IGBT با BJT و MOSFET

جدول مقایسه IGBT با BJT و MOSFET

باتشکر از حسن توجه شما امیدواریم این مطلب آموزشی برای شما مفید باشد برای دیدن سایر مطالب آموزشی می توانید روی این لینک کلیک کنید.

همچنین برای دیدن سایر آموزش های مربوط به IGBT  روی این لینک کلیک کنید.